開催日・場所・参加費・定員
- 【日時】
- 令和元年11月27日（水）12:55～16:35
- 【場所】
- 筑波大学東京キャンパス文京校舎 119 号教室 （丸ノ内線茗荷谷駅）
- 【参加費】
- 無料
- 【定員】
- 90名(先着順、参加登録をお願いします)
講演
- 12:55-13:00
- はじめに
産総研 共用施設ステーション 多田哲也
- 13:00-13:40
- 「新規レジスト材料開発のための設計戦略」
主鎖切断型電子線レジストの新規材料設計および材料の最適化を行うにあたり重要となる、ポリマーの分子量分布とレジスト材料としての性能の関係について報告する。
大阪大学産業科学研究所 中島綾子
日本ゼオン株式会社 星野学
日本ゼオン株式会社 橋本昌和
大阪大学産業科学研究所 古澤孝弘
- 13:40-14:20
- 「光集積回路作製を目的とした厚膜レジストへの電子ビーム露光近接効果補正技術」
シリコンフォトニクスに向けた研究開発では、電子ビームによる描画と半導体エッチング技術が鍵を握る。このためには、一般的に用いられるレジスト膜厚よりも厚いレジストの使用が必要となるが、このような厚膜レジストにも適用可能な電子ビーム近接効果補正手順について検討し、その補正手順を用いたシリコンフォトニクス導波路において良好な光学特性を得た。
東京工業大学 西山伸彦
- 14:20-14:50
- 「レジスト現像シミュレーションから見る電子ビーム近接効果とその補正」
電子ビーム露光における近接効果補正について、３次元レジスト現像シミュレーションなどを用いて議論致します。
GenISys株式会社 清水 諭
- 15:50-15:05
- 休憩（オーサーズインタビュー）
- 15:05-15:35
- 「大面積偏向型超高速電子ビーム描画装置について」
従来装置より数倍広いフィールドサイズを持ち、８インチウエハを一晩で露光できるスポット型の電子ビーム描画装置を開発した。その特徴や、実際に加工したアプリケーションを紹介する。
株式会社エリオニクス 新関 嵩
- 15:35-15:55
- 「電子ビーム露光装置を用いたGa2O3 FinFETとAlN光導波路の作製」
最先端のパワーデバイスや光デバイスへの電子ビーム描画の利用法をご紹介します
筑波大学 奥村 宏典
- 15:55-16:15
- 「電子ビーム描画条件最適化のための実験的検証」
より速く、より精確な電子ビーム描画を実現するための描画条件を実験的に検証した結果をご紹介します
物質・材料研究機構 NIMS微細加工プラットフォーム 大里 啓孝
- 16:15-16:35
- 「ポジ・ネガ反転パターン形成のためのＤＤＲプロセス」
Dry Development Rinse (DDR) 材料 NCR500（日産化学）を用いた、電子ビーム用ポジ型レジスト(CSAR62)パターンからのポジネガ反転プロセスについて紹介する。
産総研 ナノプロセシング施設 郭 哲維
- 17:00-18:30
- 意見交換会（無料） TAMAYA(筑波大学東京キャンパス正門前)