講演者が提案している界面ダイポール変調型メモリについて紹介する。CMOSのゲートスタックとして広く採用されているHfO2/SiO2積層構造を用いて、ポテンシャル変調が可能なこと、さらにMOSFETに組み込むことでフラッシュ型動作が可能であることを示す。

FeRAMやPCRAMなどの不揮発性メモリには、多元系化合物から成る機能性材料が多く用いられている。本講演では、これら多元化合物を再現性良く、大口径で均一に形成する為のPVDやCVDなどの成膜技術について紹介する。

シリコンフォトニクスに向けた研究開発では、電子ビームによる描画と半導体エッチング技術が鍵を握る。このためには、一般的に用いられるレジスト膜厚よりも厚いレジストの使用が必要となるが、このような厚膜レジストにも適用可能な電子ビーム近接効果補正手順について検討し、その補正手順を用いたシリコンフォトニクス導波路において良好な光学特性を得た。

低ガス圧において高密度・低エネルギープラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを用いた成膜は、低温で高品質な薄膜形成に適している。本講演では、ECRスパッタ法による酸化物・窒化物 薄膜形成とその応用について報告する。

ECRスパッタを用いたリフトオフ成膜のアプリケーションについてご紹介します。

弊社が開発・製造しているプラズマCVD装置により、ストレス制御が可能なSiN膜などの成膜技術をご紹介いたします。

近年、有機半導体をはじめ色々な分野から、室温付近の低温成膜のニーズが高まっています。産総研と共同開発した高純度オゾン発生装置から得られる高純度オゾンガスおよびエチレンガスを用いたCVD・ALDで室温成膜した酸化膜の事例（SiO2 Al2O3）について報告します。

ALD用原料は、揮発させて反応チャンバーに輸送して使用する点からはCVD用原料と同様であるが、熱分解させず化学反応を利用していることから、物性および反応性についてはCVDとは全く異なる要求がある。ここでは、ALD特有の課題を中心に原料開発の状況を紹介する。

NPFのALDを用いた成膜をもとに、Al2O3, TiO2, TiN, ZrO2 等の成膜例や応用例について発表を行う。また、ALD膜の膜質評価についても発表を行う。