装置の紹介[NPF]
【NPF095】RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）
| 名称 | 【NPF095】RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） |
|---|---|
| メーカー | 芝浦エレテック |
| 導入年月日 | |
| 仕様 | 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へArイオンを衝突させることにより、対向する基板へ均質で緻密な膜をスパッタ成膜します。カソードは3つあり、3種類の材料を同一バッチで成膜することが出来ます。ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。AT-025スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間で高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。ただし、基板加熱は無く、常磁場カソードのみの装着です。 ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ・試料サイズ:8インチ ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ ・基板テーブル:回転機構付 ・逆スパッタ:200W ・ターゲット-基板間距離:82 mm ・基板加熱:なし ・膜厚分布:±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、170 mmφ) ・到達真空度:10-5 Pa台 ・スパッタガス:Ar、O2、N2 ・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa ・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au(常設), Cr, Cu, Nb, Pt, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ta, Ta2O3, Ti, TiN, TiO2, W |
