装置の紹介[NPF]

【NPF095】RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)


名称 【NPF095】RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー 芝浦エレテック
導入年月日
仕様 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へArイオンを衝突させることにより、対向する基板へ均質で緻密な膜をスパッタ成膜します。カソードは3つあり、3種類の材料を同一バッチで成膜することが出来ます。ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。AT-025スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間で高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。ただし、基板加熱は無く、常磁場カソードのみの装着です。

・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチ
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ
・基板テーブル:回転機構付
・逆スパッタ:200W
・ターゲット-基板間距離:82 mm
・基板加熱:なし
・膜厚分布:±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、170 mmφ)
・到達真空度:10-5 Pa台
・スパッタガス:Ar、O2、N2
・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa
・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W
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