装置の紹介[ANCF]
極端紫外光光電子分光装置
| 名称 | 極端紫外光光電子分光装置 |
|---|---|
| メーカー | 産総研自主開発 |
| 導入年月日 | 2013-04-01 |
| 仕様 | レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料に照射した際に放出される光電子のエネルギーを計測することにより、試料最表面(0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。 絶縁物、導体表面からの光電子のエネルギースペクトルのシフトから、試料表面の汚染状態を評価する、世界で唯一の表面分析装置。 ・励起光波長：4.86 nm ・励起光ビーム径：50 μm ～100 μm ・光電子エネルギー分解能：～0.3 eV ・深さ感度（光電子の脱出深さ）：0.5 nm（実測） ・光子フラックス（試料上時間平均）：SR同等 ・瞬時キャリア密度：1017/cm3 ・EUV光子エネルギー：255.17 eV ・EUVパルス幅：3 nsec |
