弊社は多様化する半導体のアプリケーションに対応するために、加速電圧200kVの電子線描画装置を開発しました。今回は、その開発コンセプトや加速電圧の差による描画結果の差等について講演させていただきます。
　一般的に描画装置を高加速化することで近接効果低減による露光コントラストの向上や厚膜レジストに対する高解像化が期待されます。一方、レジスト感度低下によるスループット低下というデメリットも存在しますが、今回はそれらのメリット・デメリットが200kVの世界でどの程度影響しているのかを実際の描画結果を交えて検証した結果をご報告させていただきます。

「200kV電子線描画装置の開発」 [PDF形式／0.9MB]

「共用装置としてのELSとJBX」 [PDF形式／3.9MB]

次世代の無線通信などにおいて期待されるテラヘルツ周波数帯は電子デバイスの動作極限でもあり、デバイスの集中的な開発が必要となっている。量子効果半導体デバイスである共鳴トンネルダイオードは高速動作にすぐれており、他のデバイスよりも遥かに高い2THzの基本波発振動作やミリワット高出力を達成している。この発表では、それら発振デバイスについて、デバイスの特性や応用展開などを概観すると共に、電子ビーム描画装置を用いたデバイスの3次元構造の形成手法などについて紹介する。

「100kV電子ビーム描画装置を用いた3次元構造を有するテラヘルツ帯発振デバイスの形成」 [PDF形式／4.2MB]

ポイントビーム露光における高速描画を実現するELS-HAYATEの特長である5 mmフィールドサイズ、ビーム電流800nA、ドーズクロック400MHzの基本性能について説明をします。また、この装置を使ったアプリケーション、及びそのスループットについての紹介いたします。

「50kV大面積・超高速電子ビーム露光装置」 [PDF形式／2.6MB]

電子線散乱による近接効果補正は、電子線散乱・吸収の理論計算から導かれる一方で、レジスト現像他による擾乱要因の補正（プロセス補正）は含まない。本講演ではL&Sの実験・測長データを元にそのようなプロセス補正項目をBEAMERの近接効果補正（PEC）に含める手法についてご紹介する。

「電子線描画におけるプロセス補正のご紹介」 [PDF形式／4.2MB]

電子線リソグラフィーは、電子デバイスのみならず光学や材料分析デバイスにも利用可能なナノ構造作製方法です。今回はユーザーの活用事例中心にEBリソグラフィーを身近な手法として紹介します。

「多様なデバイス作製へのEBリソグラフィー応用」 [PDF形式／11MB]

ma-N2400 レジストを用いた微細パターン形成プロセスとSi量子デバイス作製への応用について紹介いたします。

「ma-N2400 EBネガ型レジストによる微細パターン形成」 [PDF形式／1.2MB]