装置の紹介[NPF]
【NPF025】スパッタ成膜装置（芝浦）
| 名称 | 【NPF025】スパッタ成膜装置（芝浦） |
|---|---|
| メーカー | 芝浦メカトロニクス |
| 導入年月日 | |
| 仕様 | 高周波励起によりプラズマを発生させ、成膜材料ターゲットへのイオン衝撃で生じるスパッタリングで飛び出した原子を対向に位置する基板上に付着させることで成膜が行われます。反跳粒子などのエネルギーを持った粒子も合わせて基板に到達するため、均質で緻密な膜が成膜されます。ロードロック室付なので試料交換を効率良く行えます。3種までの材料を逐次連続して成膜することが出来ます(手動)。スパッタ源の1台は強力な磁石を組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートでの成膜を可能としています。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。 ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ・試料トレイサイズ:最大8インチφ, 5mmt ・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式 ・高周波電源:最大出力500 W(使用最大400 W) ・RF制御:自動制御 ・逆スパッタリング:100W ・試料トレイ搬送:ロードロック室付 ・試料トレイ:回転機構付 ・ターゲット-基板間:85 mm ・加熱温度:最大300 ℃ ・膜厚分布:±5%以内@膜厚2～3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内 ・到達真空度:2×10^-4 Pa ・反応ガス:Ar, O2, N2 ・成膜時ガス圧:0.2～1 Pa(基本0.5Pa) ・常備ターゲット:金属、酸化物、窒化物等、60種以上 金属：Ag, Al, Al-Ce, Al-Nd, AlN, Au, BN, Cr, Cu, FeSi2, Ge, In, Ir, Mo, MoSi2, Nb, NiCrSi, NiCrAlFe, Pd, Pt, Si, Si3N4, Sn, Ta, TaN, Ti, TiN, W, WSi2, WTi, (現在Ru在庫なし) 酸化物：Al2O3, CeO2, CuO, Fe2O3, HfO2, IGZO, ITO, MgO, NiO, SiO2, SnO2, SrTiO3, Ta2O5, TiO2, TiO2-Co, ZrO2, ZnO, ZnO-Ga2O3 強磁性体：Fe, Co, Ni, NiFe, Co8Fe2, Co3Fe7, CoCr, CoFeB, FeSiB, TbFeCo |
