装置の紹介[NPF]
【NPF031】原子層堆積装置_1[FlexAL]
| 名称 | 【NPF031】原子層堆積装置_1[FlexAL] |
|---|---|
| メーカー | オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社 |
| 導入年月日 | |
| 仕様 | 金属や半導体、誘電体材料のナノ薄膜の成膜をLyer by Layer で行うことができる原子層堆積装置です。in-situ 分光エリプソ が組み込まれているため膜厚測定が成膜中に可能となり、インキュベーションサイクルの導出や正確な成長速度の評価が一度の成膜プロセスで行えます。Al2O3, SiO2, HfO2, ZnO, TiO2, SiN他の様々な材料のALD成膜が可能です。これまでに報告されたALD装置の応用例は、銅配線の拡散防止膜、銅めっきシード層、高効率太陽電池、有機EL、EL、有機トランジスタデバイスのH2O、O2の拡散を抑制する封止膜、DRAMキャパシタ、高誘電率ゲート絶縁膜など、多数あります。新しい材料評価のためにプリカーサー材料の持ち込みも、ご相談の上可能となっています。 ・型式:FlexAL ・試料サイズ:8インチφ ・基板温度:100-550℃ ・プラズマALD:600W（誘導結合型） ・基板バイアス:100W ・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3 ・材料ポート:8ポート ・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf ・キャリアガス:Ar ・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ |
