装置の紹介[NPF]

【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)


名称 【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)
メーカー サムコ
導入年月日 2017-07-01
仕様 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置(PCVD)であり、TEOSからSiO2を、SN-2(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300Wとなっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350℃まで昇温が可能です。

・型式:PD-220NS
・試料サイズ:8インチ
・成膜種:SiO2, Si3N4
・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・高周波電源:300W(13.5MHz)
・ステージ加熱:350℃(抵抗加熱方式 )
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