装置の紹介[NPF]
【NPF082】化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE）
| 名称 | 【NPF082】化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） |
|---|---|
| メーカー | サムコ |
| 導入年月日 | 2017-08-01 |
| 仕様 | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、塩素系ガスによる化合物半導体および各種金属膜のエッチング加工を行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。 ・型式:RIE-400iPS ・試料サイズ:４インチ ・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP) ・試料導入方式:ロードロック式 ・高周波電源:最大500W （13.56MHz） ・バイアス高周波電源:最大300W（13.56MHz） ・使用ガス:Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4、SF6 |
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