装置の紹介[NPF]

【NPF089】赤外線ランプ加熱炉(RTA)


名称 【NPF089】赤外線ランプ加熱炉(RTA)
メーカー アルバック理工株式会社(現:アドバンス理工株式会社)
導入年月日 2003-03-27
仕様 本装置は、Si系デバイスのドーパント活性化・拡散プロセス用のRTA熱処理装置です。試料上面のみから加熱となるため、指示温度(サセプタに挿入したセンサの測定温度)と試料温度に差が生じやすくなります。温度差に関しては試料のサイズ、光吸収率や熱伝導率、雰囲気によって変化します。SiCサセプタを使用しているため、酸素雰囲気での加熱が可能です。Si等のドライ熱酸化も可能です。

・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片~4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT~1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2
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