装置の紹介[NPF]

【NPF101】Si深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕


名称 【NPF101】Si深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕
メーカー オックスフォードインスツルメント
導入年月日 2021-12-10
仕様 放電に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用したロードロック式エッチング装置です。本装置では主にボッシュプロセスによるシリコンの深堀加工が可能です。

・型式:PlasmaPro_100_Cobra
・試料サイズ:4インチφ, 5mmt
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 3kW(2 MHz)
・バイアス高周波電源: 300W(13.56 MHz)、最小 15 W
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御:~400℃
・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar
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