装置の紹介[NPF]

【NPF102】原子層堆積装置_3〔FlexAL〕


名称 【NPF102】原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
メーカー オックスフォードインスツルメント
導入年月日 2021-12-10
仕様 金属や半導体、誘電体材料のナノ薄膜の成膜をLyer by Layer で行うことができる原子層堆積装置です。反応ガスとしてピュアオゾンガスが接続されており、100℃前後の低温での高品質な成膜がサーマルALDで可能です。また、膜中への水素の取り込まれ具合を評価し易くするために、重水、及びD2, ND3,が接続されています。in-situ XPS が接続されているため、前処理による試料表面の自然酸化物の除去の確認や、プリカーサー分子の吸着状態、また成膜した膜組成のin-situ分析が行えます。また、in-situ 分光エリプソ が接続されているため膜厚測定が成膜中で可能となり、インキュベーションサイクルの導出や正確な成長速度の評価が一度の成膜プロセスで取得できます。新しい材料評価のためにプリカーサー材料の持ち込みも、ご相談の上可能となっています。

・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W(誘導結合型)
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
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