装置の紹介[NPF]

【NPF110】レーザー描画装置〔DWL66+〕


名称 【NPF110】レーザー描画装置〔DWL66+〕
メーカー ハイデルベルグ
導入年月日 2021-12-10
仕様 405nm半導体レーザー光源を有するレーザー描画装置であり、サブミクロンパターンがマスクレスで描画でき、裏面アライメント機能、及びグレースケール露光が可能である。

・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mmx200mmx12mmt
・最小角型試料サイズ: 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm (L&S)、0.3μm(孤立パターン)
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度:1μm
・グレースケール露光:1000階調

関連画像

最小ピクセル 10μm×10μm

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0.5μmライン&スペース

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レンズ 直径40μm高さ7μm

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フォ-カスオフセット:12%、 レーザーパワー:130mW

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フォーカス推移(-50%~+20%)

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