本発表では、光学・電気化学デバイスで必要となる酸化ニッケル薄膜について、湿式法とALDを融合させることにより、それぞれの方式が持つ弱点を補いあうことで優れた性能を発揮した成果について報告を行います。

産総研ナノプロセシング施設（NPF）では４台のALD装置が稼働しています。
プリカーサー材料の供給ラインは全２３系統で、様々なプリカーサーを使ったサーマル・プラズマ両方のALD成膜実験が可能です。
新しい材料評価のためにヒータ式燃焼除害装置を導入し、材料を持ち込んでの成膜実験も実施しています。
装置の特長として、３台については in-situエリプソによる成膜中の膜厚計測が可能です。
また、その内の１台にはXPS装置が真空交換チャンバーを介して接続されており、成膜途中の試料表面を大気暴露させずに分析評価することが可能です。
このセミナーにおいても、成膜途中のXPS分析を駆使した報告がございます。

高効率な結晶シリコン太陽電池の新たな作製技術として、金属酸化物などを用いたキャリア選択性パッシベーティングコンタクト（Carrier Selective Passivating Contact）が注目されている。
我々はこれまでに、原子層堆積法（ALD）により形成した酸化チタン（TiO_x）薄膜が、結晶シリコンからのキャリア抽出における選択性を制御可能であることを見出し、ドーパントを用いず、同一材料（TiO_x）を正極および負極の両方に用いた太陽電池の動作を世界で初めて実証した。
本講演では、ALDとX線光電子分光法（XPS）を交互に行うin-situ評価の結果を交えながら、TiO_xの成長過程やポスト処理に伴うSi/TiO_x界面状態の変化について議論する。
さらに、本技術をペロブスカイト／結晶シリコンタンデム太陽電池の接合に応用する研究についても紹介する。

アミノシランを原料に用いてALD法により、SiO₂膜を成膜した。O₂プラズマあるいは、O₃を用いて成膜したSiO₂膜の成膜速度や、膜質を調査した。
膜質は、リアクタントや、プラズマにも依存する。

アミン系またはCp系Zr原料を用いて、産総研NPFのALD装置FlexALを使用し、ZrO₂膜を成膜した。
その成膜特性や膜の評価行った結果を報告する。

本報告では、バックエンドトランジスタ向けの極薄InO_xチャネルを形成するためのプラズマエンハンスト原子層堆積法（PEALD）について述べる。
また、InO_xチャネル膜中の過剰酸素や、チャネル/誘電体界面の形成についても議論する。

近年、半導体素子の微細化に伴い銅配線の抵抗率が増大して来たため、微細加工した際に銅よりも抵抗率が低くなる材料としてRuが注目されている。
Ru膜用のプリカーサー開発の一環として、ALDを用いてRu膜を成膜する際の成長し始めの数層の状態を解析する研究を進めている。
その一部として、ALDとXPSが連結された装置を用いてALD成膜したRu膜のin-situ XPS測定を行ったのでその結果について報告する。

産総研ナノプロセシング施設のALD装置（AD-100LP）にてピュアオゾンガスを用いたSiO₂膜の成膜を中心にご紹介します。
また弊社のALD装置にて成膜した他のプリカーサーの事例についてもご紹介し、プリカーサーの違いによる成膜への影響について述べます。
AD-100LPではピュアオゾンの代替として酸素プラズマや低濃度オゾンについても紹介する予定です。

ARIM事業において収集・蓄積されたALD成膜データを含むマテリアルデータは、今秋からARIMデータポータルを用いて利用可能となります。
ARIMデータポータルからのデータ閲覧方法やデータ利用について、ALD成膜データを中心に紹介いたします。
ARIMデータポータル：https://nanonet.go.jp/data_service/